DDR与DDR2的区别

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DDR2 SDRAM是Double Data Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩
写，中文含意为“第二代双倍数据速率同步动态随机访问存储器”)。它是由JEDEC（电子设
备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR SDRAM技术标准最大
的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2  
SDRAM却拥有两倍于上一代DDR SDRAM预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，
DDR2 SDRAM每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的
速度运行。


此外，由于DDR2 SDRAM标准规定所有DDR2 SDRAM均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应
用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2  
SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR SDRAM的发展历程，从第
一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR  
SDRAM的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel
最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率
的DDR2 SDRAM将是大势所趋。  




DDR2 SDRAM与DDR SDRAM的区别：

1、延迟问题：


从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2 SDRAM的实际工作频率是DDR SDRAM的两倍。这
得益于DDR2 SDRAM拥有两倍于标准DDR SDRAM的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2  
SDRAM和DDR SDRAM一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，
但DDR2 SDRAM拥有两倍于DDR SDRAM的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样
100MHz的工作频率下，DDR SDRAM的实际频率为200MHz，而DDR2 SDRAM则可以达到400MHz。


这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR SDRAM和DDR2 SDRAM中，后者的内存延
时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带
宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工
作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于
DDR400。


2、封装和发热量：


DDR2 SDRAM技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR SDRAM的传输能力，而
是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 SDRAM可以获得更快的频率提升，突破标准
DDR SDRAM的400MHZ限制。


DDR SDRAM内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当
频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提
升的难度。这也就是DDR SDRAM的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2 SDRAM均采用
FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散
热性，为DDR2 SDRAM的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。


DDR2 SDRAM采用1.8V电压，相对于DDR SDRAM标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的
更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。


DDR2 SDRAM采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2 SDRAM还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。


OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR2 SDRAM通过OCD可以提高信号
的完整性。DDR2 SDRAM通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压
相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品
质。  
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终
端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组
对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻
小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反
射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响
信号品质。DDR2 SDRAM可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号
波形。使用DDR2 SDRAM不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR SDRAM
不能比拟的。  
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号
（列地址选通）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟
（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive  
Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一
个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。  

总的来说，DDR2 SDRAM采用了诸多的新技术，改善了DDR SDRAM的诸多不足，虽然它目前有
成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

大涤子

这个帖子不错楼主很給力.

cronzhang

学习了, 谢谢分享

zhongxiny

是不是还有DDR3

jie_61719603

还有价格方面的区别。、